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Wafer Fab中的reticle靜電損壞
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Reticle在Wafer fab中的角色
Photolithography（簡稱PHOTO，光刻），是半導體Wafer fab中最為核心技術的生產工序段。
Reticle，也稱為photo mask（光罩），則是PHOTO工序必不可缺少的關鍵工具。Reticle的自身完好性，對wafer線路光刻的精準性起著決定性的作用。
圖1. Reticle在wafer PHOTO中的作用圖示
圖2. 用于wafer fab的Reticle
Reticle的靜電敏感性
由于wafer制程的精細程度持續提高，reticle對靜電的敏感型也持續上升。相關業內的實踐經驗分析與相關研究表明，用于180nm制程的reticle已經表現出不可忽視的靜電敏感特性。
圖3.Reticle chrome線路遭受多次ESD的損壞癥狀（光學顯微鏡）
Reticle靜電損壞對wafer fab的價值
Reticle受到靜電的影響，尤其是發生chrome pattern CD（Critical Dimension，關鍵尺寸）的偏移(較強的ESD)，可能直接導致PHOTO后的wafer報廢。
Photolithography（簡稱PHOTO，光刻），是半導體Wafer fab中最為核心技術的生產工序段。
Reticle，也稱為photo mask（光罩），則是PHOTO工序必不可缺少的關鍵工具。Reticle的自身完好性，對wafer線路光刻的精準性起著決定性的作用。
圖1. Reticle在wafer PHOTO中的作用圖示
圖2. 用于wafer fab的Reticle
Reticle的靜電敏感性
由于wafer制程的精細程度持續提高，reticle對靜電的敏感型也持續上升。相關業內的實踐經驗分析與相關研究表明，用于180nm制程的reticle已經表現出不可忽視的靜電敏感特性。
圖3.Reticle chrome線路遭受多次ESD的損壞癥狀（光學顯微鏡）
Reticle靜電損壞對wafer fab的價值
Reticle受到靜電的影響，尤其是發生chrome pattern CD（Critical Dimension，關鍵尺寸）的偏移(較強的ESD)，可能直接導致PHOTO后的wafer報廢。
